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采用标准双栅CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管，并详细研究了器件制备前高温预处理于薄膜晶体管性能的影响。实验发现不同的温度处理，将引起器件性能的显著变化。在1000℃预处理湿度下获得了最好的器件性能。1000℃在NMOS管中测得的电子迁移率达314cm^2/(V·s），分别比在1100℃和未做高温处理下的大10％和22％。1000℃下器件的最大开关电流比也达到了3×10^8 。对器件的进一步重复性研究证实了上述结果的可靠性。