【摘 要】
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采用赝势法的第一性原理,计算了K2La2Ti3O10的电子密度分布和能带结构等基态物理性质。结果表明,K2La2Ti3O10属间接带隙半导体,理论带隙为3.2 eV,其导带主要由Ti的3d轨道构成
【机 构】
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华侨大学材料科学与工程学院福建省高校功能材料重点实验室,
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采用赝势法的第一性原理,计算了K2La2Ti3O10的电子密度分布和能带结构等基态物理性质。结果表明,K2La2Ti3O10属间接带隙半导体,理论带隙为3.2 eV,其导带主要由Ti的3d轨道构成,价带主要由氧的2p轨道构成。钛原子的d电子与镧原子的d电子和氧原子的2p电子之间的轨道杂化对K2La2Ti3O10的能带结构和光催化活性有着重要的意义。
Based on the first principle of the pseudopotential method, the electronic density distribution of K2La2Ti3O10 and the physical properties of the ground state such as the band structure were calculated. The results show that K2La2Ti3O10 is an indirect band gap semiconductor with a theoretical band gap of 3.2 eV. The conduction band of the K2La2Ti3O10 is mainly composed of the 3d orbit of Ti, and the valence band is mainly composed of the 2p orbit of oxygen. The orbital hybridization between the d electron of titanium atom and the d electron of the lanthanum atom and the 2p electron of the oxygen atom is of great significance to the band structure and photocatalytic activity of K2La2Ti3O10.
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