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【摘 要】
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用直流磁控溅射法制备非晶Co-FeNbZr软磁膜，再用独特的快速循环纳米晶化技术（RgTA）对其进行纳米晶化。研究了不同的纳米晶化工艺条件下薄膜的微观结构和阻抗性能。结果表明，500℃
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院
【出 处】
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磁性材料及器件
【发表日期】
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2009年6期
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