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采用化学气相沉积方法，以Ni薄膜为催化剂，CH4、SiH4为反应气体，H2为载气，成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。
VLS机制生长SiC晶须研究
【摘 要】
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采用化学气相沉积方法，以Ni薄膜为催化剂，CH4、SiH4为反应气体，H2为载气，成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2010年1期
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