【摘 要】
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NTT 公司在室温下已研制成能够存储数据和信号处理和极细硅细线单电子器件,耗散功率为以前的1/1000。硅细线为30nm,在硅衬底上照射电子束,作为多晶硅电极,并改变加在这种电
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NTT 公司在室温下已研制成能够存储数据和信号处理和极细硅细线单电子器件,耗散功率为以前的1/1000。硅细线为30nm,在硅衬底上照射电子束,作为多晶硅电极,并改变加在这种电极上的电压,可控制硅细线内的电子等运动。在用硅细线的控制电极复盖部分,能在室温下观
NTT has developed at room temperature as a single electronic device capable of storing data and signal processing and ultra-fine silicon thin wire, the power dissipation of the previous 1/1000. The silicon thin wire is 30nm, irradiating the electron beam on the silicon substrate, acting as a polysilicon electrode, and changing the voltage applied to the electrode to control the movement of electrons in the silicon thin wire. In the silicon thin wire control electrode covering part, can be observed at room temperature
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