B掺杂Si_（80）Ge_（20）合金的快速制备及热电性能

• 作 者: 罗文辉 李涵 郝文 胡小龙 唐新峰
• 机 构: 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2011年5期
• 关键词: B掺杂SiGe合金 电弧熔炼 快速球磨 放电等离子烧结 热电性能 B-doped SiGe alloy arc melting rapidly ball mil

采用电弧熔炼、快速球磨结合放电等离子烧结快速制备了单相Si80Ge20Bx（x=0.5、1、1.5、2）热电材料,对烧结后试样进行了物相结构分析和热电性能表征。结果表明,B的引入导致样品载流子浓度增加,电导率随着B掺量增加而大幅增加,而Seebeck系数反之下降。B的固溶增加试样中点缺陷浓度而导致声子散射增加,热导率下降明显。当x=1时,样品在1000K获得最大ZT值0.78。