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以单晶硅（110）和C^＋注入硅片后形成的表面改性层为研究对象，对C^＋注入单晶硅后的离子分布深度概率进行模拟计算，选择不同直径尺度的Si02球与其配副，在UMT-II微摩擦磨损试验机上开展微载荷和不同球径尺度下的摩擦磨损试验，分析C^＋注入前后硅片的摩擦系数变化规律，在MicroXAM^TM超高精度三维轮廓仪和S．3000N型扫描电镜上观察硅片磨损后的微观形貌。结果表明。C^＋注入对单晶硅表面的摩擦磨损性能改善明显，改善效果与施加的微栽荷和接触应力相关。载荷小于0．1N时，C^＋注入后硅片的减摩效果不明