Cu掺杂及应变加载对单根SnSe微米线电学性能影响的研究

• 作 者: 郑云志 苑华磊 郑坤 史晓磊 陈志刚 邹进
• 机 构: 北京工业大学固体微结构与性能研究所,南昆士兰大学未来材料中心,昆士兰大学机械与采矿工程学院,昆士兰大学电镜显微中心
• 出 处: 电子显微学报
• 发表日期: 2019年5期
• 关键词: SnSe微米线 CU掺杂 热电材料 电学性能 应变加载 SnSe microwires Cu doping thermoelectric material el
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目(No.11774016)),北京市长城学者项目.

利用溶剂热法合成SnSe及10%Cu掺杂的SnSe,通过XRD、SEM、TEM等显微学技术对其进行形貌及结构表征分析。利用聚焦离子束技术(FIB)选取、制备多根未掺杂及10%Cu掺杂、取向为[001]的SnSe单晶微米线,结合纳米操控与电学测试系统对这些SnSe微米线进行了电学输运性能的测试研究。结果表明10%Cu掺杂的SnSe微米线较其未掺杂的微米线电导率提升了3.1倍,其平均电导率分别为156.17 S·m-1和38.02 S·m-1。同时,也对它们进行了应变加载下的电学输运特性的