基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究

• 作 者: 安恒 杨生胜 薛玉雄 把得东 张晨光
• 机 构: 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验
• 出 处: 计量学报
• 发表日期: 2016年z1期
• 关键词: 计量学 辐射剂量传感器 电离总剂量效应 实时监测 空间辐射 metrology RadFET total ionizing dose real time obs

设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数.