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具有高耐用性，读写周期为35ns磁阻随机存取存储器（MRAM）MR2A16A的容量为4Mb，在断电后不会丢失数据，采用跳变位写入模式，是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可用于高速缓存、配置存储器以及其他需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。
可高用的4Mb MRAM存储器
【摘 要】
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具有高耐用性，读写周期为35ns磁阻随机存取存储器（MRAM）MR2A16A的容量为4Mb，在断电后不会丢失数据，采用跳变位写入模式，是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2006年8期
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