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研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经180℃温度退火72h,所测光电参数并未得到复原。这说明γ辐照除造成瞬时损伤外,还会引起部分永久性损伤。