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对尖晶石型LiMn2O4表面进行Al2O3包覆,并对其材料结构和电化学性能进行研究.结果表明,Al2O3包覆可有效降低Jahn-Teller畸变,提高电化学性能.当Al的包覆量为3.0%时,材料的放电比容量与循环性能达到最佳,首次放电比容量为113.5 mAh/g,20次循环后,比容量衰减至87.6 mAh/g,容量保持率为77.2%.