HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究

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【摘要】

：

利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC.研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经

【作者】

：

蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳寰怀邹

【机构】

：

中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050

【出处】

：

真空电子技术

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

碳纳米管场发射碳化铪

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利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC.研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨.此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路.

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