CF_4-N_2O等离子体刻蚀工艺

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等离子体刻蚀(PE)具有成本低、清洁、线条分辨率高以及容易实现工艺自动化等优点.近几年来,随着低温等离子体淀积氮化硅半导体器件表面钝化技术的普及推广,等离子体刻蚀工艺得到了广泛的应用.我们从1981年起在大批量器件生产中应用了等离子体氮化硅刻蚀工艺。几年来由于被加工? Plasma etching (PE) has the advantages of low cost, high cleanness, high line resolution and easy process automation etc. In recent years, with the popularization of surface passivation technology of low temperature plasma deposited silicon nitride semiconductor devices, plasma The body etching process has been widely used, and we have been using plasma silicon nitride etch processes in high volume devices since 1981. Several years due to be processed?
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