道康宁与东京应用化学合作开发含硅双层光阻提高蚀刻选择性并简化次65nm微影制程 新的双层光阻解决了气体释出的问题

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全球材料、应用技术及服务的综合供应商——美国道康宁公司与东京应用化学工业(Tokyo Ohka Ko-gyo,TOK)日前宣布,双方已合作开发并在市场上推出新的双层光阻。这种新材料将硅聚合物用于成像层(i maginglayer)以提高蚀刻选择性,满足65 nm和更先进制程的微影要求。由于新光阻的高 Dow Corning Corp. and Tokyo Ohka Ko-gyo (TOK), a global supplier of materials, applications and services, announced that they have partnered to develop and market new double-layer photoresists. This new material uses silicon polymer for the i maging layer to improve etch selectivity, meeting the lithography requirements of 65 nm and beyond. Due to the new photoresist high
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