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损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究总剂量和剂量率响应特性。实验证实,CMOS器件的损伤敏感性与电离辐照的总剂量基本无关,对剂量率的依赖也很弱。
CMOS器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定
【摘 要】
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损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所,中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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1991年12期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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