氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hongyanzhiji761112
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主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析。结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面择优取向生长。随着氨水浓度增加时CdS薄膜表面逐渐变得致密光滑,CdS薄膜的透过率增强和带隙变宽。在氨水浓度为0.10 mol/L时制备出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面紧凑致密无针孔,颗粒大小均匀,将其应用于CZTSe薄膜太阳电池中的缓
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