论文部分内容阅读
1／f噪声，由于其反映了器件的质量、可靠性等参数，其研究越来越为人们所重视。本文首先较为系统地介绍了1／f噪声源两种较为成熟的理论：载流子数涨落和迁移率涨落模型，最后将研究MOS晶体管中1／f噪声的现象。在n管中，较为成功地用△N模型；而在PMOS晶体管中，△μ模型可较为成功地解释其1／f噪声特性。