用ECR等离子体CVD沉积的氮化硅膜特性

• 作 者: 张一鸣 钟启秀
• 出 处: 真空电子技术
• 发表日期: 1989年4期
• 关键词: 氮化硅 薄膜 电子回旋共振 CVD沉积

本文研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体化学气相沉积(CVD)的氮化硅膜的性能与沉积条件之间的相互关系。通过控制流比(SiH_4/N_2)和总流率(SiH_4+N_2)而不管微波功率如何,可以使BHF(缓冲氟)蚀刻率减至最小。在上述条件下沉积的膜的折射率约为2.0。在SiH_4(10sccm)和N_2(10sccm)条件下沉积的薄膜,其电击穿强度大于8MV/cm,电容率(1MHz)为6.4—6.9,内应力大于7×10~9dyn/cm~2。通过控制沉积条件可成功地沉积压应力、张应力和无应力薄膜。