【摘 要】
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本文采用分子动力学软件包LAMMPS研究了无缺陷和有缺陷的硅纳米线的拉伸力学性能,得到其应力-应变曲线,曲线表明拉伸过程中无明显的塑性流动,但会出现颈缩现象;当硅纳米线存
【机 构】
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湖南大学汽车先进设计和制造技术国家重点实验室,
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本文采用分子动力学软件包LAMMPS研究了无缺陷和有缺陷的硅纳米线的拉伸力学性能,得到其应力-应变曲线,曲线表明拉伸过程中无明显的塑性流动,但会出现颈缩现象;当硅纳米线存在缺陷时,屈服强度减小为无缺陷时的79%;且容易形成单个晶胞被拉伸现象.研究表明,温度对硅纳米线的屈服强度有显著影响,温度升高会大大降低硅纳米线的屈服强度.
Tensile mechanical properties of defect-free and defective silicon nanowires were investigated by LAMMPS, and the stress-strain curves were obtained. The curves show that there is no obvious plastic flow during the stretching process, but necking phenomenon ; When the silicon nanowires are defective, the yield strength is reduced to 79% of the defect free; and easy to form a single unit cell is stretched phenomenon.Research shows that temperature has a significant effect on the yield strength of silicon nanowires, the temperature is increased Will greatly reduce the yield strength of silicon nanowires.
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