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通过伏-安特性及其温度关系和电致发光的测量,提出了碳化硅粉末的导电机理是:在高电场下是隧道效应,在低电场下是空问电荷限制电流效应。碳化硅防晕层的导电机理与碳化硅粉末的一致,但由于粉末间有粘结剂,受热后膨胀使接触势垒加宽,出现防晕层的电流和非线性特性随温度上升而下降的现象。所提机理为合理控制碳化硅防晕层的非线性特性提供了理沦依据。更多还原