本征砷化镓量子阱的瞬态自旋光栅中电子自旋扩散研究

• 作 者: 余华梁
• 机 构: 闽江学院物理学与电子信息工程系
• 出 处: 闽江学院学报
• 发表日期: 2013年2期
• 关键词: 瞬态自旋光栅 电子自旋扩散 电子自旋弛豫时间 transient spin diffraction gratings spin diffusion sp
• 基金项目: 福建省自然科学基金（2012D110）, 福建省省属高校科研专项（JK2011039）, 福建省大学生创新性实验计划项目（MJCX1117）

利用瞬态自旋光栅方法,在室温下实验研究了本征GaAs量子阱中电子自旋扩散的动力学过程.测得了不同周期的瞬态自旋光栅的衰减率,根据普遍认同的公式：Γ=q2Ds＋l/τs,计算得到电子自旋扩散系数Ds=104 cm2/s,以及电子自旋弛豫时间τs=46 ps.测得的电子自旋扩散系数与文献报道的N型GaAs量子阱的实验测量结果相吻合,说明样品导电类型对电子自旋扩散系数没有显著影响.而电子自旋弛豫时间τs=46 ps与由饱和吸收方法测得的结果：τs=103 ps有明显区别.进一步分析了自旋光栅调制度随时间的衰减规