【摘 要】
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介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。
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