ZnSe掺Cu与Zn空位缺陷的稳定性、电子结构与光学性质

• 作 者: 郭雷 胡舸 张胜涛
• 机 构: 重庆大学化学化工学院
• 出 处: 物理化学学报
• 发表日期: 2012年12期
• 关键词: 硒化锌 空位缺陷 CU掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理 ZnSe Vacancy defect Cu doping Electronic struct
• 基金项目: 中央高校基本科研业务费（CDJZR11220003）资助项目

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，对ZnSe闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Cu（Zn0．875Cu0．125Se）及Zn空位（Zn0．875Se）超晶胞进行结构优化处理．计算并详细分析了缺陷体系的形成能和三种体系下ZnSe材料的态密度、能带结构、集居数、介电和吸收光谱．结果表明：在Zn空位与Cu掺杂ZnSe体系中，由于空位及杂质能级的引入，禁带宽度有所减小，吸收光谱产生红移：单空位缺陷结构不易形成，Zn0．875Se结构不稳定，Cu掺杂ZnSe结构相对更稳定．