【摘 要】
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美国无线电公司综合MOS功率晶体管、双极型晶体管和闸流管的优点研制成功一种新型MOS场效应功率管,命名为电导率调制场效应管(COMFET),其芯片面积为120平方毫米. 新器件的导
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美国无线电公司综合MOS功率晶体管、双极型晶体管和闸流管的优点研制成功一种新型MOS场效应功率管,命名为电导率调制场效应管(COMFET),其芯片面积为120平方毫米. 新器件的导通电阻比MOS场效应管小一个数量级;当20安漏极电流流过器件时,测得其电阻小于0.1欧.它的前向截止电压达400伏,反向为100伏,因此
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