低真空下射频磁控溅射法制备ITO薄膜

• 作 者: 李晓冬 朱红兵 褚家宝 黄士勇 孙卓 陈奕卫 黄素梅
• 机 构: 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心
• 出 处: 液晶与显示
• 发表日期: 2007年5期
• 关键词: 氧化铟锡 薄膜 射频磁控溅射 X射线光电子能谱 indium tin oxide thin film radio frequency magnetron s
• 基金项目: Supported by Foundations of Pujiang Talented Person Plans （No. 05PJ14037） ,Nanotechnology of Shanghai Municipal Science ＆ Technology Committee（No. 0552nm042） ,Shanghai-Applied Materials Research and D

在低真空（2.3×10^-3Pa）下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、10%氧化锡的陶瓷靶。用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构,用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分。ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率（80%～95%）。在低工作气压（1Pa）下,氧气流量比率[O2/（O2＋Ar）]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好。在高工作气压（2Pa）下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜。