Ta-Al阳极氧化膜的AES分析

• 作 者: 邵有田
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 1989年5期
• 关键词: Ta-AI薄膜 俄歇电子能谱 Ta-Al合金

溅射的Ta-Al合金薄膜,在0.5％和1.0％草酸溶液中,进行电化学赋能。用俄歇电予能谱(AES),并结合Ar离予溅射分析所得的氧化膜。斌能所形成的阳极氧化膜为Ta_2O_6和Al_2O_3的均匀无定形混合阳极氧化膜。在赋能期间,有铝的相对损耗,但不发生溶析效应。阳极化常数及介电常数随合金中铝含量的增加而下降。