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通过对碳化硅粉体在有机单体介质中的Zeta电位，分散剂用量和浓悬浮体的粘度等的测试及其沉降试验，详细研究了粒径分布较宽的碳化硅粉体（0.2-250μm)的胶体分散特性，沉降行为以及浓悬浮体的流变行为。结果表明，选用适量的分散剂四甲基氢氧化铵可使SiC颗粒的Zeta电位绝对值提高近20mV，调整浆料pH至11．9附近可制备出固相体积分数高达70％的SiC浓悬浮体。该浓悬浮体中粗细SiC颗粒间能达到一稳定的分数，悬浮粒子不会产生明显地沉降，其流变行为符合Quemada模型。