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利用MEMS工艺以及硅的湿法刻蚀工艺制作了一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感,并研究了硅衬底背面减薄对射频微电感性能的影响,结果表明:微电感硅衬底经过局部刻蚀减薄后其自谐振频率上升,电感量的频率稳定性提高,而其最大Q值下降.
一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感
【摘 要】
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利用MEMS工艺以及硅的湿法刻蚀工艺制作了一种硅衬底镂空结构的圆形射频微电感,并研究了硅衬底背面减薄对射频微电感性能的影响,结果表明:微电感硅衬底经过局部刻蚀减薄后其
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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2004年2期
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