三元Ga_xIn_(1-x)P和四元(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P合金拉曼光谱研究

• 作 者: 吕毅军 李志锋
• 机 构: 厦门大学物理系,中国科学院上海技术物理研究所
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2000年4期
• 关键词: 喇曼谱 有序化 Ⅲ-Ⅴ族半导体 MOVPE

测量了室温下三元ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４８）和四元（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）合金背散射配置下的喇曼光谱。三元ＧａｘＩｎ１－ｘＰ的喇曼谱表现为双模形式，在ＤＡＬＡ带上叠加了ＦＬＡ模，在有序样品中观察到了类ＧａＰ的ＴＯ１横和类ＩｎＰ的ＴＯ２模，类ＧａＰ的ＬＯ１模和类ＩｎＰ的ＬＯ２模的分裂，表示有序度的ｂ／ａ比从无序样品的０．４０变化到有序样品的０．１０，有序样品ｂ