【摘 要】
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在不同条件下退火的Ｎｉ＾＋注入ｎ－Ｇａｐ ＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０￣０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进行
【机 构】
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半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京师范大学物理系,北京轻工业学院基础物理教研室
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在不同条件下退火的Ｎｉ＾＋注入ｎ－Ｇａｐ ＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０￣０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据，对其中起源于ＮｉＧａ中心的ＤＬＴＳ峰作出了判断。
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