【摘 要】
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本文应用DLTS(深能级瞬态谱)技术研究磷处理对Si—SiO_2界面态密度和停荻截面的影响.给出了(100)晶向n型硅MOS结构的实验结果.
In this paper, DLTS (deep level transient
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本文应用DLTS(深能级瞬态谱)技术研究磷处理对Si—SiO_2界面态密度和停荻截面的影响.给出了(100)晶向n型硅MOS结构的实验结果.
In this paper, DLTS (deep level transient spectroscopy) technique was used to study the effect of phosphorus treatment on Si-SiO_2 interface state density and stop di section, and experimental results of (100) to n-type silicon MOS structure were given.
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