NO 在 Ir（110）表面吸附和解离反应的泛函密度理论

• 作 者: 何朝政 马质璞 张帅 周大伟 濮春英 卢成 仲志国 李硕 李
• 机 构: 南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳农业职业学院机电工程系
• 出 处: 吉林大学学报：理学版
• 发表日期: 2014年6期
• 关键词: 密度泛函理论 NO 解离 N2 生成 Ir(1 10)表面 过渡态 density functional theoryNO dissociationN2 for
• 基金项目: 国家自然科学基金（批准号：U1404216,U1404608,U1304612,11247222）、河南省科技厅科技攻关项目（批准号：142102210478,132102210481）、河南省中青年骨干教师资助项目（批准号：20J2GGJS-152）和南阳师范学院科研项目（批准号：ZX2014088,ZX20]2018,ZX20100011）.

采用密度泛函理论（DFT）和周期性平板模型,考察 NO 在 Ir（110）表面上的吸附、解离及 N2生成机理。计算结果表明：NO 以 N 端向下在顶位吸附为最稳定的吸附方式,其次是短桥位,空位吸附最不稳定；顶位吸附的 NO 在表面存在2条解离通道：1）直接解离通道；2）由初始态扩散到短桥位,继而发生 N—O 键断裂生成 N 原子和 O 原子,是 NO 在表面解离的主要通道；解离后的 N 原子经联短桥位共吸附态发生 N—N 聚合反应生成 N2,在表面共存的 O 原子促进了 N2的生成,与实验结果相符。