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寻找新的电阻效应,实现大的电阻变化率一直是物理学和材料学领域的一个研究热点。最近一期的《先进材料》(Advanced Materials;DOI:10.1002/adma.200903070)报道了上海交大物理系王辉副教授课题小组的最新研究成果:基于金属-氧化物-半导体(MOS)结构的双极性电阻效应。该小组经过几年的实验研究发现,