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论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备。
TSV制程关键工艺设备技术及发展
【摘 要】
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论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2014年5期
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