307-325nm波长AlGaN基紫外光探测器

• 作 者: 岑龙斌 桑立雯 周绪荣 秦志新 张国义
• 机 构: 北京大学物理学院人工微结构与介观物理实验室
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: ALGAN 紫外光探测器 肖特基接触 AlGaN UV detector Schottky

通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AIN插入层，成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN（0．22〈x〈0．28）材料。研究并优化了AlxGa1-xN材料上的Ti／Al／Ni／Au欧姆接触和Ni基肖特基接触的形成条件。20nm／150nm／20nm／200nm的Ti／Al／Ni／Au金属层在N2氛围中，700℃下，快速热退火处理120s后，其欧姆接触的比接触电阻率为3．13×10^-5Ω·cm^2。研究表明，当AlxGa1-x，N材料中Al组分x〉0．20时，