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该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗低至13mΩ，电流能力高达76A，经过100％雪崩测试，通过AEC—Q101标准认证。这些功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源（UPS）中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射（DGI）。