【摘 要】
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本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验结果表明,当载荷值小时,其变形量增大,而当
【机 构】
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天津大学力学系,苏联明斯克无线电工程学院,天津大学力学系 工程副教授、工学博士
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本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验结果表明,当载荷值小时,其变形量增大,而当载荷增加时,其变形增长量减小,这一现象证实了在硅晶体中存在着弱结合空位层,在外载荷作用下,排出晶体中的空位,致使晶体增密,或者说提高了硅单晶的密度所致。
The purpose of this paper is to study the deformation behavior of n-type and p-type silicon single crystal materials under external loading. The use of moiré interference and speckle interferometry for the determination of the deformability of silicon single crystal materials. The experimental results show that when the load value is small, the deformation increases and when the load increases, the deformation growth decreases. This phenomenon confirms the presence of weakly bonded vacancies in the silicon crystal under the action of external loads Crystal vacancies, resulting in crystal densification, or increase the density of silicon single crystal.
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