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提出一种改进的4H-Si CMESFET非线性直流解析模型，该模型基于栅下电荷的二维分布进行分析，在分析电场相关迁移率、速度饱和的基础上，考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响，建立基于物理的沟道长度调制效应模型，模拟结果与实测的I-V特性较为吻合。在器件设计初期，可以有效地预测器件的工作状态。