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基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制，研究了应变Si1-xGe／（100）Si材料电子散射几率与应力及能量的关系．结果表明：在应力的作用下，应变Si1-xGe／（100）Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低．si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关．