亚微米栅长调制掺杂场效应管（MODFET）的制造

• 作 者: 杨玉芬 陈宗圭 张矩
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,北京工业学院物理系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1989年3期
• 关键词: MOSFET 掺杂 亚微米栅长 调制 Modulation doped Two-dimensional electron gas Submicron gat

本文简述了调制掺杂场效应管(MODFET)材料参数的设计原理,0.2μm栅长T型栅的制造工艺以及为了获得0.2μm栅长的器件所要求的电子束曝光的详细条件.虽然所用材料的缓冲层纯度不够高(～1×10~(15)cm~(-3)),但由于采用了T型结构,器件室温跨导值仍达到了200mS/mm,在77K为375mS/mm.