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合成了具有微观层状结构的纳米级氧化石墨，并在100℃以下通过插层反应制备得氧化石墨插层SnO2（GIT），也具有层状结构；通过AFM、FE-SEM、XRD、DSC-TG对其形貌、微观结构、物相、热性能进行分析；在SnO2基体材料中掺人适量GIT插层材料，经过适当的热处理，制备GIT-SnO2复合气敏元件。气敏性能测试表明，材料具有较低的电阻，在200．300℃范围内对丁烷具有较高的灵敏度。