【摘 要】
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设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18
【机 构】
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复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系,复旦大学电子工程系 上海200433,上海200433,上海200433
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设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中心频率 6 0 0 k Hz处的相位噪声为 - 119d Bc/ Hz,调谐范围为 2 8% ,功耗为 3.6 m W.
A fully integrated 1 V, 2.5 GHz, voltage-controlled oscillator is designed, with optimized integrated inductor design using both NMOS transistors and switched capacitor arrays as variable capacitors, resulting in lower phase noise and wider tuning of the design The simulation results using a 0.18μm CMOS process show that at 1V supply voltage the phase noise is -199dBc / Hz at a center frequency of 6 0 0 kHz and the tuning range is 2 8% 3.6 m W.
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