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采用泡生法和提拉法生长出三硼酸铯(式CsB3O5,简称CBO)晶体,研究了晶体生长工艺条件及晶体生长形态。泡生法生长的CBO晶体的尺寸为40mm×25mm×25mm;生长过程中晶体转速为10~20r/min,降温速率为0.1~0.2℃/d。用提拉法生长出Φ20mm×30mm的CBO晶体;生长过程中液面温度梯度为60℃/cm,提拉速度为8mm/d。在生长过程中Cs2O的挥发速度大于B2O3的挥发速度