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氧在大规模集成技术中既有优点,也有缺点;对切克劳斯基法生长的硅片来说,因为碳起着对器件性能有不利影响的热感生微缺陷核的作用,所以它是有害的;这种微缺陷受晶体生长期间所经受的热过程和硅片中碳浓度控制。因此,可以在不降低硅片中氧浓度的情况下,通过控制晶体生长技术来抑制微缺陷的形成。
硅单晶中的氧和碳在超大规模集成电路技术中的作用
【摘 要】
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氧在大规模集成技术中既有优点,也有缺点;对切克劳斯基法生长的硅片来说,因为碳起着对器件性能有不利影响的热感生微缺陷核的作用,所以它是有害的;这种微缺陷受晶体生长期间
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1983年06期
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