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根据美国ＳＬＡＣ公司及日本ＫＥＫ公司的要求，我们为其提供高能探测器所需的大尺寸掺铊碘化铯晶体。他们对晶体性能提出了较高的要求，要求晶体透明不着色、无云层和杂质包裹体等缺陷。由于这些缺陷的存在会导致晶体光输出下降、均匀性变差、抗辐照损伤能力下降、甚至出现开裂而影响晶体的质量。但这些缺陷在生长过程中又不可避免，为此我们对这些缺陷进行了深入的研究。在卤化物晶体生长过程中，氧的存在哪怕是ｐｐｍ级的含量都会对生长带来危害，造成晶体性能下降，所以大多采用在真空状态下生长。对于掺铊的碘化铯晶体国外更是全部采用在真空状态