Cu-doping induced ferromagnetic insulating behavior and domain wall pinning effects in LaMnO3

• 作 者: GAO Tian CAO Shixun LIU Yongsh
• 机 构: DepartmentofMathematicsandPhysics,DepartmentofPhysics
• 出 处: 稀有金属：英文版
• 发表日期: 2011年4期
• 关键词: LAMNO3 畴壁钉扎 铜掺杂 反铁磁 绝缘体 双交换相互作用 钙钛矿结构 交流磁化率 manganites lanthanum compounds coppe
• 基金项目: supported by Shanghai Rising-Star Program (No. 11QH1401000),,the National Natural Science Foundation of China (No. 50932003),,the Key Project of Chinese Ministry of Education (No. 211055),,Shanghai Re

结构、磁性、电的运输性质上的系统的研究为 LaMn1x Cu x O3 系统被执行。斜方晶的 perovskite 结构的一个单个阶段为 x = 被形成 0.050.40。惹人注目的顺磁铁磁性的转变和可观的磁致电阻效果在铁磁性的订温度 T C 被观察，但是没有绝缘体金属转变由做 Cu 导致了被观察。在 T C 下面，可见意外落下在交流危险性和 zero-field-cooled dc 磁化被观察因为 dilute 与 x 0.10 做了样品，它被证明与由 milling 卡住效果的领域墙被联系体积材料进单