【摘 要】
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本专利主要涉及半导体器件的钝化方法,特别是关于具有组合钝化膜半导体器件的制造方法。文章列举了很多种迄今已有的钝化半导体器件的方法,以保护器件电学参数不出现所不希
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本专利主要涉及半导体器件的钝化方法,特别是关于具有组合钝化膜半导体器件的制造方法。文章列举了很多种迄今已有的钝化半导体器件的方法,以保护器件电学参数不出现所不希望的变化。因为半导体器件表面是活泼的,易受环境影响,必须用适宜的钝化膜保护。
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