激光退火离子注入硅的电性质和熔化阈限的关系

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本文描述对以宽度为80毫微秒(FWHM,在半最大值的全带宽)、1.06微米激光脉冲退火的离子注入硅的电测量和再生长性能的结果进行比较的研究,在为熔化所需的阈限能量密度、掺杂剂的分布和二极管的结深和漏电流之间确立了一定的相关性。可以证明,为了得到低漏电流二极管,由注入条件决定的退火能量密度,远超过用瞬态的光学反射率变化确定的熔化能量密度。 Described herein is a comparison of the results of electrical measurement and regrowth performance of ion implanted silicon with a width of 80 nanoseconds (FWHM, full bandwidth at half maximum), 1.06 micron laser pulse annealing, Threshold energy density, dopant distribution and diode junction depth and leakage current established between the certain correlation. It can be shown that in order to get a low leakage current diode, the annealing energy densities determined by the implantation conditions far exceed the melting energy densities determined by the change in transient optical reflectivity.
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