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采用ＭＯＣＶＤ技术在Ｓｉ（１１１）衬底上生长ＧａＮ薄膜，经此材料制备成光导型Ｓｉ基ＧａＮ紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段２５０￣３６０ｎｍ有近于平坦的光电流响应，３６３ｎｍ附近有陡峭的截止边，３５７ｎｍ波长处５Ｖ偏压下的响应度高达６．９Ａ／Ｗ。响应度与偏压的变化关系表明，４Ｖ以前为线性增加，５Ｖ后达到饱和。